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氮化镓芯片相比电源适配器传统硅基芯片，它的核心优势是什么呢？
特性 | 氮化镓芯片 | 传统硅基芯片 |
开关频率 | 更高（MHz级） | kHz级 |
导通损耗 | 低损耗（如30mΩ@650V） | 较高损耗（如100mΩ@600V） |
开关损耗 | 寄生电容极低，开关损耗仅为Si的1/5 | 寄生电容高，开关损耗显著 |
热管理 | 低热阻，无需复杂散热 | 需散热片或风扇 |
动态响应 | 更快的ns级 | 较慢的μs级 |
体积 | 30W/<25cm³ (体积减半，效率增加了5%) | 30W/50cm³ |
功率密度 | 可达20W/cm³以上 | 大约5-10W/cm³ |
耐压能力 | 600V-1200V | 通常<600V |
工作温度 | -55℃-+220℃ | -40℃-+150℃ |
综上所示，氮化镓芯片的核心优势可概括为：高频，高效，高可靠性，高功率密度，小型化，快速动态响应。
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